集成栅极换流晶闸管（Integrated Gate Commutated Thyristor，IGCT）是用于工业设备中切换电流的功率半导体电子器件，是由三菱和ABB共同开发的。IGCT的基本结构图如图2-90所示。IGCT与栅极关断（GTO）晶闸管相似，但是由多个栅极并联。

IGCT可以由栅极信号控制导通和关断，与GTO晶闸管相比具有较低的传导损耗，并能承受更高的电压上升速率，使得其在大多数应用上不需要缓冲器。

在IGCT中，由于多个栅极并联，关断电流大于阳极电流，这导致完全消除少数载流子的时间变短，使IGCT器件有更快的关断速度；也因为栅极并联，使得和栅极驱电路连接的电感及电阻变得更低。与GTO晶闸管相比，IGCT具有更快的关断时间，故可在较短的时间内高达几kHz的频率下工作。IGCT可以制作成有或没有反向阻断能力的器件。但由于需要具有长且低掺杂的漂移区来提高反向阻断能力，所以会增加正向压降。能够阻止反向电压的IGCT称为对称型IGCT（Symmetrical IGCT，S-IGCT），其结构与电场分布和GTO晶闸管类似，如图2-91所示。通常S-IGCT的反向阻断电压额定值和正向阻断电压额定值相同。S-IGCT的典型应用xcsports是电流源逆变器。

不能阻挡反向电压的IGCT称为非对称型IGCT（Asymmetrical IGCT，A-IGCT），通常具有几十伏的反向击穿电压。但是因为加入n型缓冲层使漂移区变短，其正向电压降比S-IGCT低。A-IGCT用于并联施加反向导通二极管（例如，在电压源逆变器中）或者没有反向电压的场合（例如，在开关电源或DC牵引斩波器中）。

如果p+集电极有部分更改成n+区域，则该部分称为和IGCT并联的反向导通二极管。在同一封装中用反向导通二极管制造的非对称IGCT则称为RC-IGCT，是一种用于反向导电的IGCT。

IGCT主要应用于变频逆变器，用在驱动和牵引的电机驱动装置上。